日置SiC/GaN双脉冲测试解决方案

在WBG半导体（如SiC、GaN）评估中，双脉冲测试（DPT）是分析开关特性、计算损耗的关键手段。由于该类器件开关速度极快，电流波形中峰值电流、di/dt、振铃及反向恢复等参数的准确捕捉尤为困难，而电流测量方法的优劣直接影响评估结果。

本文针对DPT中常用的三种电流测量方法——AC/DC电流探头、同轴分流器和罗氏线圈，从实测角度进行对比，并总结选择要点。

双脉冲测试中的关注波形
DPT通过两个短脉冲驱动器件，在第一脉冲结束时刻测关断，在第二脉冲起始时刻测导通。重点观察电感电流、开关瞬态的上升/下降沿、峰值、di/dt、振铃及反向恢复电流，并配合Vds/Vce电压波形计算瞬时功率和开关损耗（Eon/Eoff）。

三种测量方法对比

AC/DC电流探头（如CT6711，带宽120MHz）
钳形结构，无需改动电路，可测含直流的波形。实测中上升沿略缓、过冲小，波形稳定，适合DPT条件设定、调试及常规评估。需注意带宽、频率降额及探头延迟，使用前须进行零点校正和量程确认。

同轴分流器（带宽2GHz）
带宽高、延迟小，适合高速瞬态精细观测。实测显示其上升沿最接近基准信号，但过冲较大，易受连接寄生参数、接地和发热影响。不可测直流，且需谨慎处理绝缘与安全。

罗氏线圈（带宽30MHz）
适用于大电流脉冲，但需外接积分电路，无法测直流。实测中出现明显振铃和上升沿变缓，受带宽限制和安装条件影响较大，不适合高速上升沿的精确分析。

实测结论
以1ns基准脉冲为参照，同轴分流器速度最快，但波形过冲显著；AC/DC探头上升略延迟，但波形平滑、实用性强；罗氏线圈振铃明显，适用于大电流趋势观测而非精细分析。

选择关键点
不能仅凭带宽选型，应综合评估测量目的、电流大小、是否含直流、对电路的影响、连接便捷性与安全。尤其计算Eon/Eoff时，电压与电流通道间的延时差必须校准（Deskew）。高频大电流下还需确认探头的频率降额特性。

安全提醒
DPT涉及高压大电，更改连接前务必断电并释放电容残电，使用安全罩、绝缘工具和联锁装置，确保操作人员不接触带电部分。

总结

同轴分流器：高精度、高速，适合基准级损耗分析，但使用条件苛刻。

罗氏线圈：适合大电流粗测，不适合高速瞬态精确测量。

AC/DC电流探头：兼顾实用性与稳定性，适合大多数DPT调试、对比和设计验证场景。

最终应根据评估目标，将带宽、量程、直流响应、延时、安全与易用性一并纳入考量，构建合理的整体测试系统。HIOKI等品牌提供多种AC/DC探头，可灵活匹配不同WBG测试需求。